Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 30 A 214 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 827-4004
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-36-390
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFP250MPBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (5 Stück, in einer Packung mit 5)*
CHF 14.75
Nur noch Restbestände
- Letzte 160 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | CHF 2.949 | CHF 14.73 |
| 25 - 45 | CHF 2.535 | CHF 12.67 |
| 50 - 120 | CHF 2.363 | CHF 11.80 |
| 125 - 245 | CHF 2.182 | CHF 10.91 |
| 250 + | CHF 1.323 | CHF 6.63 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 827-4004
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-36-390
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFP250MPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 30A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 75mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 123nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 214W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 5.2mm | |
| Höhe | 21.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 16.13mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 75mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 123nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 214W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 5.2mm | ||
Höhe 21.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 16.13mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 30A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 214W maximale Verlustleistung - IRFP250MPBF
Dieser N-Kanal-MOSFET ist für hohe Leistung und Effizienz in einer Vielzahl von Anwendungen ausgelegt. Mit einem maximalen Drain-Dauerstrom von 30 A und einer Drain-Source-Spannung von 200 V eignet er sich für Aufgaben in der Automatisierungs- und Elektronikbranche. Seine Konstruktion gewährleistet eine effektive thermische Leistung, was seine Verwendung in der Elektro- und Maschinenbauindustrie fördert.
Eigenschaften und Vorteile
• Dynamischer dv/dt-Wert gewährleistet Stabilität während des Betriebs
• Verbesserte thermische Eigenschaften, mit einer Betriebstemperatur von bis zu 175°C
• Niedriger Einschaltwiderstand reduziert Leistungsverluste
• Vollständig avalanche-tauglich, bietet Überspannungsschutz
• Einfache Antriebsanforderungen für eine leichtere Integration in Entwürfe
Anwendungsbereich
• Geeignet für hochfrequentes Schalten
• Ideal für Stromversorgungen und Wandler
• Anwendbar in Motorsteuerungssystemen und industriellen Antrieben
• Verwendung in Systemen für erneuerbare Energien, wie z. B. Solarwechselrichtern
Wie wird die Wärmeleistung in anspruchsvollen Umgebungen gesteuert?
Die Wärmewiderstandseigenschaften sind für eine effiziente Wärmeableitung ausgelegt und ermöglichen einen Betrieb von -55°C bis +175°C.
Was sind die Auswirkungen des niedrigen Rds(on)?
Der niedrige Durchlasswiderstand führt zu einer geringeren Verlustleistung während der Leitung, was die Gesamteffizienz des Systems erhöht und die thermische Belastung der Komponenten reduziert.
Kann dieses Gerät für parallele Konfigurationen verwendet werden?
Ja, das Design erleichtert die Parallelschaltung, erhöht die Stromkapazität und verbessert die thermische Leistung bei Hochleistungsanwendungen.
Was ist bei der Auswahl der Gate-Treiberspannung zu beachten?
Eine Gate-Treiberspannung zwischen 2V und 4V ist optimal, um eine ausreichende Schaltleistung zu gewährleisten und unerwünschten Betrieb zu vermeiden.
Welche Maßnahmen gibt es zum Schutz vor Überspannungen?
Der MOSFET ist voll Avalanche-tauglich, schützt vor transienten Überspannungen und gewährleistet einen zuverlässigen Betrieb unter schwankenden Bedingungen.
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 30 A 214 W, 3-Pin TO-247
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 43 V / 43 A, 3-Pin TO-247
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 270 A, 3-Pin TO-247
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 65 A 330 W, 3-Pin TO-247
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 94 A 580 W, 3-Pin TO-247
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 81 A 170 W, 3-Pin TO-247
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 42 A 160 W, 3-Pin TO-247
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 57 A 200 W, 3-Pin TO-247