DiodesZetex DMN4010LK3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 39 A 1.6 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 828-3193
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN4010LK3-13
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)*
CHF.11.52
Auf Lager
- 1'400 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 20 - 100 | CHF.0.576 | CHF.11.55 |
| 120 - 600 | CHF.0.505 | CHF.10.00 |
| 620 - 1240 | CHF.0.424 | CHF.8.50 |
| 1260 + | CHF.0.404 | CHF.7.98 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 828-3193
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN4010LK3-13
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 39A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | DMN4010LK3 | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 14.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 0.72V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.6W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 37nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 2.39mm | |
| Länge | 6.7mm | |
| Breite | 6.2 mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 39A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie DMN4010LK3 | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 14.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 0.72V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.6W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 37nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 2.39mm | ||
Länge 6.7mm | ||
Breite 6.2 mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
N-Kanal-MOSFET, 40 V bis 90 V, Diodes Inc
MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.
Verwandte Links
- DiodesZetex DMN4010LK3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 39 A 1.6 W, 3-Pin TO-252
- DiodesZetex Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.73 W TO-252
- DiodesZetex DMTH3002LK3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 150 A, 2-Pin TO-252
- DiodesZetex Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.73 W, 3-Pin TO-252
- DiodesZetex Typ N, Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung 1.6 W, 8-Pin SOIC
- DiodesZetex Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 55 A 1.73 W, 3-Pin TO-252
- DiodesZetex Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 59 A 1.73 W, 3-Pin TO-252
- DiodesZetex Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 17.6 A 1.73 W, 3-Pin TO-252