Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 70 A 170 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 831-2819P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF4905STRLPBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- IRF4905STRLPBF
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 70A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 20mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | -1.3V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 170W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 120nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Länge | 10.67mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 70A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 20mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf -1.3V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 170W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 120nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 4.83mm | ||
Länge 10.67mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 70A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 170W maximale Verlustleistung - IRF4905STRLPBF
Dieser Hochstrom-MOSFET eignet sich für verschiedene Anwendungen in der Automatisierung und Elektronik. Mit einem maximalen Drain-Dauerstrom von 70 A arbeitet er bei Drain-Source-Spannungen von bis zu 55 V. Seine Konfiguration im Enhancement-Modus erfüllt die Leistungsanforderungen, während sein niedriger RDS(on) die Energieeffizienz maximiert. Dieser für Hochleistungsanwendungen konzipierte MOSFET bietet thermische Stabilität und eignet sich daher für harte Betriebsbedingungen.
Eigenschaften und Vorteile
• Verbessert die Systemeffizienz durch niedrige Durchgangswiderstandswerte
• Funktioniert effektiv innerhalb eines Temperaturbereichs von -55°C bis +150°C
• Unterstützt schnelle Schaltgeschwindigkeiten zur Leistungssteigerung
• Robustes Design für wiederkehrende Lawinenbedingungen
• In einem D2PAK TO-263-Gehäuse für die einfache Oberflächenmontage
Anwendungsbereich
• Einsatz in Energiemanagementsystemen und Umrichtern
• Geeignet für die Motorsteuerung die einen hohen Wirkungsgrad erfordern
• Integriert in Schaltnetzteile für verbesserte Leistung
• Anwendbar in Automobilumgebungen, die eine zuverlässige Steuerung erfordern
• Eingesetzt in der industriellen Automatisierung, die eine hohe Belastbarkeit erfordert
Bei welcher Höchsttemperatur kann dieses Gerät betrieben werden?
Das Gerät hat eine maximale Betriebstemperatur von +150°C und ist damit auch unter wechselnden Umweltbedingungen stabil.
Welchen Nutzen hat der niedrige RDS(on) für das Schaltungsdesign?
Der niedrige RDS(on) minimiert die Leitungsverluste, verbessert die Gesamteffizienz der Schaltung und ermöglicht einen kühleren Betrieb.
Kann dieses Bauteil gepulste Ströme verarbeiten?
Ja, er ist in der Lage, gepulste Ableitströme von bis zu 280 A zu bewältigen, was ihn für dynamische Anwendungen geeignet macht.
Was sind die wichtigsten Parameter für die Auswahl kompatibler Steuerspannungen?
Die Gate-Source-Spannung sollte im Bereich von -20 V bis +20 V liegen, um einen effektiven Betrieb ohne Schadensrisiko zu gewährleisten.
Ist es für Hochfrequenz-Schaltanwendungen geeignet?
Der Baustein ist für schnelles Schalten ausgelegt und eignet sich daher für Hochfrequenz-Betriebsfunktionen in elektronischen Schaltungen.
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