onsemi FQD7P20TM Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 5.7 A 2.5 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 864-4948
- Herst. Teile-Nr.:
- FQD7P20TM
- Marke:
- onsemi
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Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 2500 - 10000 | CHF 0.444 | CHF 1'123.63 |
| 12500 - 22500 | CHF 0.434 | CHF 1'085.75 |
| 25000 + | CHF 0.424 | CHF 1'057.98 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 864-4948
- Herst. Teile-Nr.:
- FQD7P20TM
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5.7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Serie | FQD7P20TM | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 690mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 19nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -30V, +30V | |
| Durchlassspannung Vf | -5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 6.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.6mm | |
| Höhe | 2.3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5.7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Serie FQD7P20TM | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 690mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 19nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -30V, +30V | ||
Durchlassspannung Vf -5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 6.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.6mm | ||
Höhe 2.3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
P-Kanal-MOSFET im Erweiterungsmodus on Semiconductor
Die P-Kanal-MOSFETs der Serie ON Semiconductors werden mit der proprietären DMOS-Technologie von ON Semi mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser Prozess mit sehr hoher Dichte wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und eine robuste und zuverlässige Leistung für schnelles Schalten zu bieten.
Eigenschaften und Vorteile:
• Spannungsgesteuerter P-Kanal-Kleinsignalschalter
• Zelldesign mit hoher Dichte
• Hoher Sättigungsstrom
• Hervorragende Schaltleistung
• Große robuste und zuverlässige Leistung
• DMOS-Technologie
Anwendungen:
• Lastschaltung
• DC/DC-Wandler
• Batterieschutz
• Stromüberwachungssteuerung
• Gleichstrommotor-Steuerung
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
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