onsemi SuperFET II Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 37 A 357 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 864-7893
- Herst. Teile-Nr.:
- FCP104N60F
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
CHF.4.053
Auf Lager
- 8 Einheit(en) versandfertig
- Zusätzlich 8 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Zusätzlich 67 Einheit(en) mit Versand ab 03. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF.4.05 |
| 10 + | CHF.3.51 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 864-7893
- Herst. Teile-Nr.:
- FCP104N60F
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 37A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | SuperFET II | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 104mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 110nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 357W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V ac | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Breite | 4.672 mm | |
| Höhe | 15.215mm | |
| Länge | 10.36mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 37A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie SuperFET II | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 104mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 110nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 357W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V ac | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Breite 4.672 mm | ||
Höhe 15.215mm | ||
Länge 10.36mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
SuperFET® und SuperFET® II N-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor
Fairchild hat die Hochspannungsleistungs-MOSFET-Familie SuperFET® II mit der Super Junction-Technologie eingeführt. Sie bietet eine Diode mit robustem Gehäuse und erstklassiger Leistung bei Anwendungen in AC/DC-Schaltnetzteilen (SMPS), z. B. Server, Telekommunikation, Computer, Industrie-Netzteil, UPS/ESS, Solar-Wechselrichter, Beleuchtungsanwendungen, die eine hohe Leistungsdichte, Systemeffizienz und Zuverlässigkeit erfordern.
Mit fortschrittlicher Ladungsbalance-Technologie erreichen Entwickler effizientere, kostengünstigere und leistungsstärkere Lösungen, die weniger Platz auf der Platine einnehmen und die Zuverlässigkeit erhöhen.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi SuperFET II Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 37 A 357 W, 3-Pin TO-220
- onsemi SuperFET II Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 20.6 A 208 W, 3-Pin TO-220
- onsemi SuperFET II Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 20 A 39 W, 3-Pin FCPF190N60 TO-220
- onsemi SuperFET II Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 20.6 A 208 W, 3-Pin FCP190N60E TO-220
- onsemi SuperFET II Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 17 A 144 W, 3-Pin TO-220
- onsemi SuperFET II Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 17 A 144 W, 3-Pin FCP190N65S3 TO-220
- onsemi SuperFET II Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 76 A 595 W, 3-Pin TO-247
- onsemi SuperFET II Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 77 A 592 W, 3-Pin TO-247
