onsemi SuperFET II N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 14 A 35.7 W, 3-Pin TO-220F
- RS Best.-Nr.:
- 864-7925
- Herst. Teile-Nr.:
- FCPF400N80Z
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.18.435
Nur noch Restbestände
- Letzte 225 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF 3.687 | CHF 18.42 |
| 50 - 95 | CHF 3.141 | CHF 15.69 |
| 100 + | CHF 2.525 | CHF 12.61 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 864-7925
- Herst. Teile-Nr.:
- FCPF400N80Z
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 14A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Serie | SuperFET II | |
| Gehäusegröße | TO-220F | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.4Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 35.7W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V ac | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 43nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Länge | 10.36mm | |
| Breite | 4.9mm | |
| Höhe | 16.07mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 14A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Serie SuperFET II | ||
Gehäusegröße TO-220F | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.4Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 35.7W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V ac | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 43nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Länge 10.36mm | ||
Breite 4.9mm | ||
Höhe 16.07mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
SuperFET® und SuperFET® II N-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor
Fairchild hat die Hochspannungsleistungs-MOSFET-Familie SuperFET® II mit der Super Junction-Technologie eingeführt. Sie bietet eine Diode mit robustem Gehäuse und erstklassiger Leistung bei Anwendungen in AC/DC-Schaltnetzteilen (SMPS), z. B. Server, Telekommunikation, Computer, Industrie-Netzteil, UPS/ESS, Solar-Wechselrichter, Beleuchtungsanwendungen, die eine hohe Leistungsdichte, Systemeffizienz und Zuverlässigkeit erfordern.
Mit fortschrittlicher Ladungsbalance-Technologie erreichen Entwickler effizientere, kostengünstigere und leistungsstärkere Lösungen, die weniger Platz auf der Platine einnehmen und die Zuverlässigkeit erhöhen.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi SuperFET II Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 14 A 35.7 W, 3-Pin TO-220F
- onsemi SuperFET II Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 20 A 39 W, 3-Pin TO-220
- onsemi SuperFET II Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 76 A 595 W, 3-Pin TO-247
- onsemi SuperFET II Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 37 A 357 W, 3-Pin TO-220
- onsemi SuperFET II Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 20.6 A 208 W, 3-Pin TO-220
- onsemi SuperFET II Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 77 A 592 W, 3-Pin TO-247
- onsemi SuperFET II Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 17 A 144 W, 3-Pin TO-220
- onsemi QFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 8 A 178 W, 3-Pin TO-220F