IXYS Einfach GigaMOS, HiperFET Typ N-Kanal 1, SMD MOSFET 250 V Erweiterung / 132 A 570 W, 24-Pin SMPD

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875-2481
Herst. Teile-Nr.:
MMIX1F180N25T
Marke:
IXYS
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Marke

IXYS

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

132A

Drain-Source-Spannung Vds max.

250V

Serie

GigaMOS, HiperFET

Gehäusegröße

SMPD

Montageart

SMD

Pinanzahl

24

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Verlustleistung Pd

570W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

23.25 mm

Länge

25.25mm

Höhe

5.7mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, Serie IXYS HiperFETTM GigaMOSTM


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