IXYS Einfach GigaMOS, HiperFET N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 250 V Erweiterung / 132 A 570 W, 24-Pin SMPD
- RS Best.-Nr.:
- 875-2481P
- Herst. Teile-Nr.:
- MMIX1F180N25T
- Marke:
- IXYS
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- MMIX1F180N25T
- Marke:
- IXYS
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | IXYS | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 132A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 250V | |
| Serie | GigaMOS, HiperFET | |
| Gehäusegröße | SMPD | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 24 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 13mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 570W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -30V, +30V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Breite | 23.25mm | |
| Höhe | 5.7mm | |
| Länge | 25.25mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke IXYS | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 132A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 250V | ||
Serie GigaMOS, HiperFET | ||
Gehäusegröße SMPD | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 24 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 13mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 570W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -30V, +30V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Breite 23.25mm | ||
Höhe 5.7mm | ||
Länge 25.25mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, Serie IXYS HiperFETTM GigaMOSTM
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