Toshiba TK Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 11.1 A 35 W, 3-Pin TK11A65W,S5X(M TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 891-2875
- Herst. Teile-Nr.:
- TK11A65W,S5X(M
- Marke:
- Toshiba
Vorübergehend ausverkauft
- RS Best.-Nr.:
- 891-2875
- Herst. Teile-Nr.:
- TK11A65W,S5X(M
- Marke:
- Toshiba
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 11.1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | TK | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 390mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | -1.7V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 25nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 35W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 4.5 mm | |
| Länge | 10mm | |
| Höhe | 15mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 11.1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie TK | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 390mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf -1.7V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 25nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 35W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 4.5 mm | ||
Länge 10mm | ||
Höhe 15mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
MOSFET-Transistoren, Toshiba
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