Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 60 A 67 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
796-5099
Herst. Teile-Nr.:
TK40E06N1
Marke:
Toshiba
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Marke

Toshiba

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

60 A

Drain-Source-Spannung max.

60 V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

TK

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

10,4 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Verlustleistung max.

67 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

4.45mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

23 nC @ 10 V

Länge

10.16mm

Höhe

15.1mm


MOSFET-Transistoren, Toshiba

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