Toshiba TK Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 120 V / 60 A 98 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 827-6191
- Herst. Teile-Nr.:
- TK32E12N1,S1X(S
- Marke:
- Toshiba
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.1.418 | CHF.7.09 |
| 50 - 95 | CHF.1.281 | CHF.6.38 |
| 100 - 245 | CHF.1.218 | CHF.6.07 |
| 250 - 495 | CHF.1.071 | CHF.5.38 |
| 500 + | CHF.1.008 | CHF.5.05 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 827-6191
- Herst. Teile-Nr.:
- TK32E12N1,S1X(S
- Marke:
- Toshiba
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 60A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 120V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | TK | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 13.8mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 34nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 98W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 10.16mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 15.1mm | |
| Breite | 4.45 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 60A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 120V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie TK | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 13.8mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 34nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 98W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 10.16mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 15.1mm | ||
Breite 4.45 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
MOSFET N-Kanal, Serie TK3x, Toshiba
MOSFET-Transistoren, Toshiba
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