Toshiba TK Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 120 V / 60 A 98 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 168-7971
- Herst. Teile-Nr.:
- TK32E12N1,S1X(S
- Marke:
- Toshiba
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
CHF.41.90
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 21. Januar 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | CHF 0.838 | CHF 42.07 |
| 250 - 950 | CHF 0.717 | CHF 35.96 |
| 1000 - 2450 | CHF 0.697 | CHF 35.05 |
| 2500 + | CHF 0.687 | CHF 34.19 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 168-7971
- Herst. Teile-Nr.:
- TK32E12N1,S1X(S
- Marke:
- Toshiba
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 60A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 120V | |
| Serie | TK | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 13.8mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 34nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 98W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 10.16mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.45mm | |
| Höhe | 15.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 60A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 120V | ||
Serie TK | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 13.8mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 34nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 98W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 10.16mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.45mm | ||
Höhe 15.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
MOSFET N-Kanal, Serie TK3x, Toshiba
MOSFET-Transistoren, Toshiba
Verwandte Links
- Toshiba TK Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 120 V / 60 A 98 W, 3-Pin TO-220
- Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 120 V / 60 A 98 W, 3-Pin TO-220
- Toshiba TK Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 120 V / 72 A 225 W, 3-Pin TO-220
- Toshiba TK Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 90 A 126 W, 3-Pin TO-220
- Toshiba TK Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 120 V / 42 A 35 W, 3-Pin TO-220
- Toshiba TK Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 120 V / 60 A 30 W, 3-Pin TO-220
- Toshiba TK Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 120 V / 56 A 45 W, 3-Pin TO-220
- Toshiba TK Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 120 V / 72 A 45 W, 3-Pin TO-220