Infineon CoolMOS CP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 16 A 34 W, 3-Pin IPA60R199CPXKSA1 TO-220

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897-7400
Herst. Teile-Nr.:
IPA60R199CPXKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

16A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

CoolMOS CP

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

199mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

34W

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

32nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

10.65mm

Breite

4.85 mm

Höhe

16.15mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™CP


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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