Infineon CoolMOS CP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 550 V / 23 A 34 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 753-2989
- Distrelec-Artikelnummer:
- 302-83-964
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA50R140CPXKSA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|
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- RS Best.-Nr.:
- 753-2989
- Distrelec-Artikelnummer:
- 302-83-964
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA50R140CPXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 23A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 550V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | CoolMOS CP | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 140mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 48nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 34W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 9.83mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.85 mm | |
| Länge | 10.65mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 23A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 550V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie CoolMOS CP | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 140mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 48nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 34W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 9.83mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.85 mm | ||
Länge 10.65mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™CP
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
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