Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 550 V / 13 A 30.4 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 897-7501
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA50R280CEXKSA2
- Marke:
- Infineon
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- 897-7501
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- IPA50R280CEXKSA2
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 13A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 550V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | CoolMOS CE | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 280mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 32.6nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 30.4W | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.85V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 4.9 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 16.15mm | |
| Länge | 10.65mm | |
| Distrelec Product Id | 304-44-434 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 13A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 550V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie CoolMOS CE | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 280mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 32.6nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 30.4W | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.85V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 4.9 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 16.15mm | ||
Länge 10.65mm | ||
Distrelec Product Id 304-44-434 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET CoolMOS™CE von Infineon
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
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