Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 550 V / 13 A 30.4 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 897-7501
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-44-434
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA50R280CEXKSA2
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.7.405
Auf Lager
- Zusätzlich 850 Einheit(en) mit Versand ab 19. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 + | CHF.1.481 | CHF.7.41 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 897-7501
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-44-434
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA50R280CEXKSA2
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 13A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 550V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | CoolMOS CE | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 280mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 0.85V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 30.4W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 32.6nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 4.9 mm | |
| Höhe | 16.15mm | |
| Länge | 10.65mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 13A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 550V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie CoolMOS CE | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 280mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 0.85V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 30.4W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 32.6nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 4.9 mm | ||
Höhe 16.15mm | ||
Länge 10.65mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET CoolMOS™CE von Infineon
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
Verwandte Links
- Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 550 V / 13 A 30.4 W, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 550 V / 18.5 A 127 W, 3-Pin TO-220
- Infineon 500V CoolMOS CE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 550 V / 7.6 A, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 550 V / 14.1 A 98 W, 3-Pin TO-252
- Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 550 V / 9 A 5 W, 4-Pin SOT-223
- Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 550 V / 4.8 A 5 W, 4-Pin SOT-223
- Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 550 V / 6.6 A 5 W, 4-Pin SOT-223
- Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 5.4 A 28 W, 3-Pin TO-220