Infineon CoolMOS CE N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 550 V / 13 A 30.4 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 145-9322
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA50R280CEXKSA2
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|---|
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- RS Best.-Nr.:
- 145-9322
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA50R280CEXKSA2
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 13A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 550V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | CoolMOS CE | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 280mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 32.6nC | |
| Durchlassspannung Vf | 850mV | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 30.4W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -30V, +30V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 16.15mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.65mm | |
| Breite | 4.9mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 13A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 550V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie CoolMOS CE | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 280mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 32.6nC | ||
Durchlassspannung Vf 850mV | ||
Maximale Verlustleistung Pd 30.4W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -30V, +30V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 16.15mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.65mm | ||
Breite 4.9mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Leistungs-MOSFET CoolMOS™CE von Infineon
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
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