Infineon CoolMOS CE N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 550 V / 6.6 A 5 W, 4-Pin SOT-223

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RS Best.-Nr.:
168-5927
Herst. Teile-Nr.:
IPN50R950CEATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6.6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

550V

Serie

CoolMOS CE

Gehäusegröße

SOT-223

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

950mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Source-spannung max Vgs

-30V, +30V

Maximale Verlustleistung Pd

5W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

10.5nC

Durchlassspannung Vf

830mV

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

3.7mm

Länge

6.7mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.7mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Leistungs-MOSFET CoolMOS™CE von Infineon


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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