Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 550 V / 6.6 A 5 W, 4-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 130-0916
- Herst. Teile-Nr.:
- IPN50R950CEATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*
CHF.12.075
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | CHF.0.483 | CHF.12.02 |
| 125 - 225 | CHF.0.462 | CHF.11.42 |
| 250 - 600 | CHF.0.441 | CHF.10.97 |
| 625 - 1225 | CHF.0.41 | CHF.10.24 |
| 1250 + | CHF.0.389 | CHF.9.61 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 130-0916
- Herst. Teile-Nr.:
- IPN50R950CEATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 550V | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Serie | CoolMOS CE | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 950mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 10.5nC | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.83V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 5W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.7mm | |
| Höhe | 1.7mm | |
| Breite | 3.7 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 550V | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Serie CoolMOS CE | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 950mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 10.5nC | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.83V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 5W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.7mm | ||
Höhe 1.7mm | ||
Breite 3.7 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET CoolMOS™CE von Infineon
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
Verwandte Links
- Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 550 V / 6.6 A 5 W, 4-Pin SOT-223
- Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 550 V / 4.8 A 5 W, 4-Pin SOT-223
- Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 550 V / 9 A 5 W, 4-Pin SOT-223
- Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 550 V / 9 A 5 W, 4-Pin IPN50R650CEATMA1 SOT-223
- Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 550 V / 4.8 A 5 W, 4-Pin IPN50R1K4CEATMA1 SOT-223
- Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 550 V / 18.5 A 127 W, 3-Pin IPP50R190CEXKSA1
- Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 550 V / 14.1 A 98 W, 3-Pin TO-252
- Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 550 V / 13 A 30.4 W, 3-Pin TO-220