Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 550 V / 14.1 A 98 W, 3-Pin IPD50R380CEAUMA1 TO-252

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Herst. Teile-Nr.:
IPD50R380CEAUMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

14.1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

550V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

CoolMOS CE

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

380mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

24.8nC

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

98W

Durchlassspannung Vf

0.85V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

6.22 mm

Länge

6.73mm

Höhe

2.41mm

Automobilstandard

Nein

Leistungs-MOSFET CoolMOS™CE von Infineon


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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