Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 550 V / 9 A 5 W, 4-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 130-0914
- Herst. Teile-Nr.:
- IPN50R650CEATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- RS Best.-Nr.:
- 130-0914
- Herst. Teile-Nr.:
- IPN50R650CEATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 550V | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Serie | CoolMOS CE | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 650mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 15nC | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 5W | |
| Durchlassspannung Vf | 0.83V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 3.7 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.7mm | |
| Länge | 6.7mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 550V | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Serie CoolMOS CE | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 650mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 15nC | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 5W | ||
Durchlassspannung Vf 0.83V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 3.7 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.7mm | ||
Länge 6.7mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET CoolMOS™CE von Infineon
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
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