Infineon 500V CoolMOS CE N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 550 V / 7.6 A, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 218-2991
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA50R800CEXKSA2
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF 0.566 | CHF 28.48 |
| 100 - 200 | CHF 0.444 | CHF 22.22 |
| 250 - 450 | CHF 0.414 | CHF 20.81 |
| 500 - 1200 | CHF 0.384 | CHF 19.39 |
| 1250 + | CHF 0.364 | CHF 17.93 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 218-2991
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA50R800CEXKSA2
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 7.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 550V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | 500V CoolMOS CE | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 800mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Durchlassspannung Vf | 830mV | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 12.4nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 16.15mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.9mm | |
| Höhe | 29.75mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 7.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 550V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie 500V CoolMOS CE | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 800mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Durchlassspannung Vf 830mV | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12.4nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 16.15mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.9mm | ||
Höhe 29.75mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon 500V CoolMOS TM CE-Serie. Der CoolMOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Superjunction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Dieser MOSFET wird in PFC-Stufen, hart schaltenden PWM-Stufen und resonanten Schaltstufen verwendet, z. B. PC-Silverbox, Adapter, LCD- und PDP-TV und Innenbeleuchtung.
Sehr hohe Kommutierungsbeständigkeit
Einfach zu verwenden/zu treiben
Bleifreie Beschichtung, halogenfreie Formmasse
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