Infineon 500V CoolMOS CE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 550 V / 7.6 A, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 218-2991
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA50R800CEXKSA2
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
CHF.13.65
Auf Lager
- 400 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF.0.273 | CHF.13.86 |
| 100 - 200 | CHF.0.273 | CHF.13.49 |
| 250 - 450 | CHF.0.263 | CHF.13.13 |
| 500 - 1200 | CHF.0.252 | CHF.12.81 |
| 1250 + | CHF.0.252 | CHF.12.50 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 218-2991
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA50R800CEXKSA2
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 7.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 550V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | 500V CoolMOS CE | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 800mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Durchlassspannung Vf | 0.83V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 12.4nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 29.75mm | |
| Länge | 16.15mm | |
| Breite | 4.9 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 7.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 550V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie 500V CoolMOS CE | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 800mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Durchlassspannung Vf 0.83V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12.4nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 29.75mm | ||
Länge 16.15mm | ||
Breite 4.9 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon 500V CoolMOS TM CE-Serie. Der CoolMOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Superjunction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Dieser MOSFET wird in PFC-Stufen, hart schaltenden PWM-Stufen und resonanten Schaltstufen verwendet, z. B. PC-Silverbox, Adapter, LCD- und PDP-TV und Innenbeleuchtung.
Sehr hohe Kommutierungsbeständigkeit
Einfach zu verwenden/zu treiben
Bleifreie Beschichtung, halogenfreie Formmasse
Verwandte Links
- Infineon CoolMOS™ CE N-Kanal, THT MOSFET 550 V / 7,6 A, 3-Pin TO-220 FP
- Infineon CoolMOS™ CE N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 6,8 A, 3-Pin TO-220 FP
- Infineon CoolMOS™ CE N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 15,1 A, 3-Pin TO-220 FP
- Infineon CoolMOS™ CE N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 6,6 A, 3-Pin TO-220 FP
- Infineon CoolMOS™ CE N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 5 A, 3-Pin TO-220 FP
- Infineon CoolMOS™ CE N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 7,4 A, 3-Pin TO-220 FP
- Infineon CoolMOS™ CE N-Kanal, THT MOSFET 550 V / 13 A 30,4 W, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS™ CE N-Kanal, THT MOSFET 550 V / 18,5 A 127 W, 3-Pin TO-220