Infineon 500V CoolMOS CE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 500 V / 7.6 A 57 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 218-3049
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD50R500CEAUMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | CHF 0.758 | CHF 15.23 |
| 100 - 180 | CHF 0.727 | CHF 14.48 |
| 200 - 480 | CHF 0.697 | CHF 13.86 |
| 500 - 980 | CHF 0.667 | CHF 13.25 |
| 1000 + | CHF 0.616 | CHF 12.32 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 218-3049
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD50R500CEAUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 7.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | 500V CoolMOS CE | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 500mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Durchlassspannung Vf | 0.85V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 18.7nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 57W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 2.41mm | |
| Länge | 6.73mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 7.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie 500V CoolMOS CE | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 500mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Durchlassspannung Vf 0.85V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 18.7nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 57W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 2.41mm | ||
Länge 6.73mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon 500V CoolMOS TM CE-Serie. Der CoolMOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Superjunction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Diese Serie bietet alle Vorteile eines schnell schaltenden Superjunction-MOSFET, ohne auf Benutzerfreundlichkeit zu verzichten und das beste Preis-Leistungs-Verhältnis auf dem Markt zu bieten.
Sehr hohe Kommutierungsbeständigkeit
Einfach zu verwenden/zu treiben
Bleifreie Beschichtung, halogenfreie Formmasse
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