Infineon 500V CoolMOS CE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 500 V / 7.6 A 57 W, 3-Pin IPD50R500CEAUMA1 TO-252

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Herst. Teile-Nr.:
IPD50R500CEAUMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

7.6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

500V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

500V CoolMOS CE

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

500mΩ

Channel-Modus

N

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

57W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.85V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

18.7nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.73mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

2.41mm

Breite

6.22 mm

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon 500V CoolMOS TM CE-Serie. Der CoolMOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Superjunction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Diese Serie bietet alle Vorteile eines schnell schaltenden Superjunction-MOSFET, ohne auf Benutzerfreundlichkeit zu verzichten und das beste Preis-Leistungs-Verhältnis auf dem Markt zu bieten.

Sehr hohe Kommutierungsbeständigkeit

Einfach zu verwenden/zu treiben

Bleifreie Beschichtung, halogenfreie Formmasse

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