Infineon 500V CoolMOS CE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 500 V / 4.8 A 25 W, 3-Pin IPD50R1K4CEAUMA1 TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 50 Stück)*

CHF.23.65

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 1’950 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
50 - 50CHF.0.473CHF.23.63
100 - 200CHF.0.336CHF.17.01
250 - 450CHF.0.315CHF.15.80
500 - 1200CHF.0.294CHF.14.86
1250 +CHF.0.273CHF.13.70

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
218-3047
Herst. Teile-Nr.:
IPD50R1K4CEAUMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

500V

Serie

500V CoolMOS CE

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.4Ω

Channel-Modus

N

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

8.2nC

Durchlassspannung Vf

0.83V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

25W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

6.22 mm

Länge

6.73mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

2.41mm

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon 500V CoolMOS TM CE-Serie. Der CoolMOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Superjunction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Diese Serie bietet alle Vorteile eines schnell schaltenden Superjunction-MOSFET, ohne auf Benutzerfreundlichkeit zu verzichten und das beste Preis-Leistungs-Verhältnis auf dem Markt zu bieten.

Sehr hohe Kommutierungsbeständigkeit

Einfach zu verwenden/zu treiben

Bleifreie Beschichtung, halogenfreie Formmasse

Verwandte Links