Infineon 500V CoolMOS CE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 500 V / 4.8 A 25 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
218-3046
Herst. Teile-Nr.:
IPD50R1K4CEAUMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

500V

Serie

500V CoolMOS CE

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.4Ω

Channel-Modus

N

Maximale Verlustleistung Pd

25W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

8.2nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.83V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

2.41mm

Breite

6.22 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.73mm

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon 500V CoolMOS TM CE-Serie. Der CoolMOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Superjunction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Diese Serie bietet alle Vorteile eines schnell schaltenden Superjunction-MOSFET, ohne auf Benutzerfreundlichkeit zu verzichten und das beste Preis-Leistungs-Verhältnis auf dem Markt zu bieten.

Sehr hohe Kommutierungsbeständigkeit

Einfach zu verwenden/zu treiben

Bleifreie Beschichtung, halogenfreie Formmasse

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