Infineon 500V CoolMOS CE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 550 V / 7.6 A, 3-Pin IPA50R800CEXKSA2 TO-220

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Herst. Teile-Nr.:
IPA50R800CEXKSA2
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

7.6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

550V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

500V CoolMOS CE

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

800mΩ

Channel-Modus

N

Betriebstemperatur min.

-40°C

Durchlassspannung Vf

0.83V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

12.4nC

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

29.75mm

Länge

16.15mm

Breite

4.9 mm

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon 500V CoolMOS TM CE-Serie. Der CoolMOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Superjunction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Dieser MOSFET wird in PFC-Stufen, hart schaltenden PWM-Stufen und resonanten Schaltstufen verwendet, z. B. PC-Silverbox, Adapter, LCD- und PDP-TV und Innenbeleuchtung.

Sehr hohe Kommutierungsbeständigkeit

Einfach zu verwenden/zu treiben

Bleifreie Beschichtung, halogenfreie Formmasse

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