Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 500 V / 7.6 A 28 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 217-2493
- Herst. Teile-Nr.:
- IPAN50R500CEXKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
CHF.31.80
Auf Lager
- 350 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF.0.636 | CHF.31.77 |
| 100 - 200 | CHF.0.495 | CHF.24.80 |
| 250 - 450 | CHF.0.465 | CHF.23.18 |
| 500 - 1200 | CHF.0.434 | CHF.21.61 |
| 1250 + | CHF.0.404 | CHF.20.00 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 217-2493
- Herst. Teile-Nr.:
- IPAN50R500CEXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 7.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 500mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.85V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 18.7nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 28W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 29.85mm | |
| Länge | 16.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 7.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie CoolMOS | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 500mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.85V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 18.7nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 28W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 29.85mm | ||
Länge 16.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon 500V CoolMOS TM CE ist eine für das Preis-Leistungs-Verhältnis optimierte Plattform, die es ermöglicht, kostensensible Anwendungen in Verbraucher- und Beleuchtungsmärkten zu erreichen, indem sie weiterhin die höchsten Effizienzstandards erfüllt. Die neue Serie bietet alle Vorteile eines schnell schaltenden Superjunction-MOSFET, ohne auf Benutzerfreundlichkeit zu verzichten und das beste Preis-Leistungs-Verhältnis auf dem Markt zu bieten.
Geringere Energiespeicherung in der Ausgangskapazität (E oss)
Hohe Robustheit der Gehäusediode
Reduzierte Rückgewinnungsladung (Q rr)
Reduzierte Gate-Ladung (Q g)
Verwandte Links
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 500 V / 7.6 A 28 W, 3-Pin TO-220
- Infineon 500V CoolMOS CE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 550 V / 7.6 A, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 5.4 A 28 W, 3-Pin TO-220
- Infineon 500V CoolMOS CE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 500 V / 7.6 A 57 W, 3-Pin TO-252
- Infineon 500V CoolMOS CE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 500 V / 6.6 A, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 600 V / 8.4 A 82 W, 3-Pin TO-220
- Infineon 600V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 600 V / 6 A, 3-Pin TO-220
- Infineon 700V CoolMOS CE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 700 V / 7.4 A, 3-Pin TO-220