Texas Instruments NexFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 272 A 375 W, 3-Pin CSD19536KTTT TO-263

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Herst. Teile-Nr.:
CSD19536KTTT
Marke:
Texas Instruments
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Marke

Texas Instruments

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

272A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

NexFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

375W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

118nC

Durchlassspannung Vf

0.9V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.67mm

Breite

9.65 mm

Höhe

4.83mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Texas Instruments


MOSFET-Transistoren, Texas Instruments


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