Texas Instruments NexFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 100 A 3.2 W, 8-Pin SON
- RS Best.-Nr.:
- 827-4892
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD18533Q5A
- Marke:
- Texas Instruments
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.5.62
Auf Lager
- 3’405 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 + | CHF.1.124 | CHF.5.60 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 827-4892
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD18533Q5A
- Marke:
- Texas Instruments
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Texas Instruments | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | NexFET | |
| Gehäusegröße | SON | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 8.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 14nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.8V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3.2W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 5.8mm | |
| Breite | 5 mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Texas Instruments | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie NexFET | ||
Gehäusegröße SON | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 8.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 14nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.8V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3.2W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 5.8mm | ||
Breite 5 mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Texas Instruments
MOSFET-Transistoren, Texas Instruments
Verwandte Links
- Texas Instruments NexFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 100 A 3.2 W, 8-Pin SON
- Texas Instruments NexFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 134 A 3.1 W, 8-Pin SON
- Texas Instruments NexFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 134 A 3.1 W, 8-Pin CSD18531Q5A SON
- Texas Instruments NexFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 5 A 2.3 W, 6-Pin SON
- Texas Instruments NexFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 73 A 3 W, 8-Pin SON
- Texas Instruments NexFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 100 A 3.1 W, 8-Pin SON
- Texas Instruments NexFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 75 A 3.1 W, 8-Pin SON
- Texas Instruments NexFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 73 A 3 W, 8-Pin CSD17307Q5A SON