Texas Instruments NexFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 100 A 3.2 W, 8-Pin SON
- RS Best.-Nr.:
- 162-8556
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD18533Q5A
- Marke:
- Texas Instruments
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- RS Best.-Nr.:
- 162-8556
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- Marke:
- Texas Instruments
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Texas Instruments | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SON | |
| Serie | NexFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 8.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 14nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3.2W | |
| Durchlassspannung Vf | 0.8V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 5.8mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Texas Instruments | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SON | ||
Serie NexFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 8.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 14nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3.2W | ||
Durchlassspannung Vf 0.8V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 5.8mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Texas Instruments
MOSFET-Transistoren, Texas Instruments
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