Texas Instruments NexFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 204 A 3.2 W, 8-Pin VSON
- RS Best.-Nr.:
- 162-8551
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD18502Q5B
- Marke:
- Texas Instruments
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
- RS Best.-Nr.:
- 162-8551
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD18502Q5B
- Marke:
- Texas Instruments
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Texas Instruments | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 204A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | VSON | |
| Serie | NexFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.8V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 25nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3.2W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.05mm | |
| Länge | 6.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Texas Instruments | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 204A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße VSON | ||
Serie NexFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.8V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 25nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3.2W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.05mm | ||
Länge 6.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Texas Instruments
MOSFET-Transistoren, Texas Instruments
Verwandte Links
- Texas Instruments NexFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 204 A 3.2 W, 8-Pin VSON
- Texas Instruments NexFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 157 A 195 W, 8-Pin VSON
- Texas Instruments NexFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 104 A 96 W, 8-Pin VSON
- Texas Instruments NexFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 110 A 125 W, 8-Pin VSON
- Texas Instruments NexFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 100 A 3.2 W, 8-Pin SON
- Texas Instruments Einfach NexFET Typ N, Typ N-Kanal 1, Oberfläche, SMD MOSFET 60 V Erweiterung / 100 A 3.2 W, 8-Pin
- Texas Instruments Einfach NexFET Typ N, Typ N-Kanal 1, Durchsteckmontage, Durchsteckmontage MOSFET 100 V Erweiterung /
- Texas Instruments Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.9 W VSON-CLIP