Texas Instruments NexFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 157 A 195 W, 8-Pin VSON
- RS Best.-Nr.:
- 133-0154
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD19502Q5BT
- Marke:
- Texas Instruments
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- RS Best.-Nr.:
- 133-0154
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- Texas Instruments
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Texas Instruments | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 157A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | NexFET | |
| Gehäusegröße | VSON | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.8mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 0.8V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 130nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 195W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.05mm | |
| Länge | 6.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Texas Instruments | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 157A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie NexFET | ||
Gehäusegröße VSON | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.8mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 0.8V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 130nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 195W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.05mm | ||
Länge 6.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Texas Instruments
MOSFET-Transistoren, Texas Instruments
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