Texas Instruments NexFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 157 A 195 W, 8-Pin CSD19502Q5BT VSON

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Herst. Teile-Nr.:
CSD19502Q5BT
Marke:
Texas Instruments
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Marke

Texas Instruments

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

157A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

NexFET

Gehäusegröße

VSON

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

195W

Durchlassspannung Vf

0.8V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

130nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.1mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

5.1 mm

Höhe

1.05mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Texas Instruments


MOSFET-Transistoren, Texas Instruments


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