Texas Instruments NexFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 157 A 195 W, 8-Pin VSON

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
133-0154
Herst. Teile-Nr.:
CSD19502Q5BT
Marke:
Texas Instruments
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Texas Instruments

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

157A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

NexFET

Gehäusegröße

VSON

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

195W

Durchlassspannung Vf

0.8V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

130nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.05mm

Länge

6.1mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Texas Instruments


MOSFET-Transistoren, Texas Instruments


Verwandte Links