Texas Instruments NexFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 100 A 3.1 W, 8-Pin SON

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RS Best.-Nr.:
162-8526
Herst. Teile-Nr.:
CSD16321Q5
Marke:
Texas Instruments
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Marke

Texas Instruments

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

25V

Gehäusegröße

SON

Serie

NexFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

10V

Durchlassspannung Vf

0.8V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

3.1W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

14nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.1mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.05mm

Breite

5.1mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY

N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Texas Instruments


MOSFET-Transistoren, Texas Instruments


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