Texas Instruments NexFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 5 A 2.3 W, 6-Pin SON

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RS Best.-Nr.:
162-8525
Herst. Teile-Nr.:
CSD16301Q2
Marke:
Texas Instruments
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Marke

Texas Instruments

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

25V

Gehäusegröße

SON

Serie

NexFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

34mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

2.3W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

2nC

Gate-Source-spannung max Vgs

-8V, +10V

Durchlassspannung Vf

0.8V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

2mm

Länge

2mm

Höhe

0.8mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY

N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Texas Instruments


MOSFET-Transistoren, Texas Instruments


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