Texas Instruments NexFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 5 A 2.3 W, 6-Pin SON

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

CHF.630.00

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 36’000 Einheit(en) mit Versand ab 05. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 +CHF.0.21CHF.639.45

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
162-8525
Herst. Teile-Nr.:
CSD16301Q2
Marke:
Texas Instruments
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Texas Instruments

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

25V

Serie

NexFET

Gehäusegröße

SON

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

34mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

2nC

Durchlassspannung Vf

0.8V

Gate-Source-spannung max Vgs

10 V

Maximale Verlustleistung Pd

2.3W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

2mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

0.8mm

Breite

2 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY

N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Texas Instruments


MOSFET-Transistoren, Texas Instruments


Verwandte Links