Texas Instruments NexFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 5 A 2.3 W, 6-Pin SON
- RS Best.-Nr.:
- 162-8525
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD16301Q2
- Marke:
- Texas Instruments
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- RS Best.-Nr.:
- 162-8525
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- CSD16301Q2
- Marke:
- Texas Instruments
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Texas Instruments | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 25V | |
| Serie | NexFET | |
| Gehäusegröße | SON | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 34mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 800mV | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -8V, +10V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 2nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.3W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 2mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 2mm | |
| Höhe | 800μm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Texas Instruments | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 25V | ||
Serie NexFET | ||
Gehäusegröße SON | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 34mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 800mV | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -8V, +10V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 2nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.3W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 2mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 2mm | ||
Höhe 800μm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Texas Instruments
MOSFET-Transistoren, Texas Instruments
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