onsemi UniFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 400 V / 23 A 235 W, 3-Pin TO-3PN

RS Best.-Nr.:: 903-4134
Herst. Teile-Nr.:: FDA24N40F
Marke:: onsemi

onsemi UniFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 400 V / 23 A 235 W, 3-Pin TO-3PN

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	onsemi
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	23A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	400V
	Gehäusegröße	TO-3PN
	Serie	UniFET
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	190mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	46nC
	Maximale Verlustleistung Pd	235W
	Gate-Source-spannung max Vgs	-30V, +30V
	Durchlassspannung Vf	1.5V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	16.2mm
	Breite	5mm
	Höhe	20.1mm
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke onsemi
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 23A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 400V
	Gehäusegröße TO-3PN
	Serie UniFET
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 190mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 46nC
	Maximale Verlustleistung Pd 235W
	Gate-Source-spannung max Vgs -30V, +30V
	Durchlassspannung Vf 1.5V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 16.2mm
	Breite 5mm
	Höhe 20.1mm
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

UniFET™ N-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor

MOSFET UniFET™ ist die Hochspannungs-MOSFET-Familie von Fairchild Semiconductor. Diese weist den kleinsten Durchlasswiderstand unter den ebenflächigen MOSFETs auf und bietet außerdem eine überlegene Schaltleistung und höhere Stoßentladungsenergiestärke. Zusätzlich sorgt die interne gattergespeiste ESD-Diode dafür, dass der MOSFET UniFET-II™ Überspannungsbelastungen von über 2000 V HBM standhalten kann.

UniFET™ MOSFETs sind für Schaltleistungskonverter-Anwendungen geeignet, z. B. Leistungsfaktorkorrektur (PFC), Flachbildschirm (FPD)TV-Leistung, ATX (Advanced Technology eXtended) und Vorschaltgeräte für elektronische Lampen.

MOSFET-Transistoren, ON Semi

On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

onsemi UniFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 400 V / 23 A 235 W, 3-Pin TO-3PN

UniFET™ N-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor

MOSFET-Transistoren, ON Semi

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