onsemi UniFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 250 V / 69 A 480 W, 3-Pin TO-3PN

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809-0792
Herst. Teile-Nr.:
FDA69N25
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

69A

Drain-Source-Spannung Vds max.

250V

Serie

UniFET

Gehäusegröße

TO-3PN

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

41mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

77nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.4V

Maximale Verlustleistung Pd

480W

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

5 mm

Höhe

20.1mm

Länge

15.8mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

UniFET™ N-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor


MOSFET UniFET™ ist die Hochspannungs-MOSFET-Familie von Fairchild Semiconductor. Diese weist den kleinsten Durchlasswiderstand unter den ebenflächigen MOSFETs auf und bietet außerdem eine überlegene Schaltleistung und höhere Stoßentladungsenergiestärke. Zusätzlich sorgt die interne gattergespeiste ESD-Diode dafür, dass der MOSFET UniFET-II™ Überspannungsbelastungen von über 2000 V HBM standhalten kann.

UniFET™ MOSFETs sind für Schaltleistungskonverter-Anwendungen geeignet, z. B. Leistungsfaktorkorrektur (PFC), Flachbildschirm (FPD)TV-Leistung, ATX (Advanced Technology eXtended) und Vorschaltgeräte für elektronische Lampen.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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