Infineon OptiMOS 5 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 180 A 300 W, 7-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 906-4353
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB010N06NATMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 906-4353
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB010N06NATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 180A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 300W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 208nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 9.45mm | |
| Länge | 10.31mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.57mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 180A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 300W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 208nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 9.45mm | ||
Länge 10.31mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.57mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
RoHS Status: Ausgenommen
Infineon OptiMOS 5 Serie MOSFET, 60 V Drain-Source-Spannung, 180 A kontinuierlicher Drain-Strom – IPB010N06NATMA1
Dieser MOSFET ist ein Hochstrom-N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für die Leistungsschaltung in oberflächenmontierten Anwendungen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen erweiterten Temperaturbereich und eignet sich für anspruchsvolle elektrische Umgebungen, in denen geringe Leitungsverluste und eine robuste Gate-Steuerung erforderlich sind.
Merkmale und Vorteile:
• 60 V Ablasswert ermöglicht Schaltfunktionen bei mittlerer Spannung
• 1,5 mΩ Rds(on) zur Reduzierung von Leitungsverlusten für Hochstrompfade
• 180 A kontinuierlicher Ablassstrom für hohe Belastungsanforderungen
• Maximale Verlustleistung von 300 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• 208 nC typische Gate-Ladung ermöglicht vorhersehbares Schaltverhalten
• Maximale Gate-Source-Spannung von 20 V zum Schutz der Gate-Treibergrenzen
• 1,5 mΩ Rds(on) zur Reduzierung von Leitungsverlusten für Hochstrompfade
• 180 A kontinuierlicher Ablassstrom für hohe Belastungsanforderungen
• Maximale Verlustleistung von 300 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• 208 nC typische Gate-Ladung ermöglicht vorhersehbares Schaltverhalten
• Maximale Gate-Source-Spannung von 20 V zum Schutz der Gate-Treibergrenzen
Anwendungsbereich
• Geeignet für Hochstrom-DC/DC-Wandler in Stromversorgungssystemen
• Ideal für Server- und Telekommunikations-Stromverteilungsmodule
• Wird mit Motorsteuerungen verwendet, die Schalter mit niedrigem Einschaltwiderstand erfordern
• Kann für Batteriemanagement und Stromaufbereitung verwendet werden
• Geeignet für allgemeine Leistungsstufen in der Industrieelektronik
• Ideal für Server- und Telekommunikations-Stromverteilungsmodule
• Wird mit Motorsteuerungen verwendet, die Schalter mit niedrigem Einschaltwiderstand erfordern
• Kann für Batteriemanagement und Stromaufbereitung verwendet werden
• Geeignet für allgemeine Leistungsstufen in der Industrieelektronik
Welchem Temperaturbereich kann das Gerät während des Betriebs standhalten?
Er funktioniert bei Temperaturen von -55 °C bis 175 °C und ermöglicht den Einsatz in Umgebungen mit Kaltstart und hoher Hitze.
Wie ist es für die Montage auf einer Platine vorgesehen?
Die Komponente wird in einem TO-263-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage und zum Löten konzipiert ist.
Welche Gate-Antriebsaspekte sollten beachtet werden?
Das Gate darf 20 V Vgs nicht überschreiten und die typische Gate-Ladung von 208 nC sollte bei der Dimensionierung der Treiber berücksichtigt werden, um die Schaltgeschwindigkeits- und Verlustziele zu erfüllen.
Welche Durchlassspannung ist bei der Leitung von Gehäuse-Diode relevant?
Die Durchlassspannung beträgt ca. 1,2 V und sollte bei den Verlustberechnungen für Rückstromereignisse berücksichtigt werden.
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