Vishay Isoliert TrenchFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 6.5 A 3.7 W, 8-Pin SOIC

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
919-4195
Herst. Teile-Nr.:
SI4946BEY-T1-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

52mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

3.7W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

17nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

1.55mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

4 mm

Länge

5mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
TW

Zweifach-N-Kanal-MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


Verwandte Links