Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 49 A 94 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 919-4769
Herst. Teile-Nr.:: IRFZ44NPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 49 A 94 W, 3-Pin TO-220

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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100 - 200	CHF.0.777	CHF.38.80
250 - 450	CHF.0.714	CHF.35.96
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RS Best.-Nr.:: 919-4769
Herst. Teile-Nr.:: IRFZ44NPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	49A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	55V
	Gehäusegröße	TO-220
	Serie	HEXFET
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	17.5mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	63nC
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Maximale Verlustleistung Pd	94W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Länge	10.67mm
	Breite	4.4 mm
	Höhe	8.77mm
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 49A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 55V
	Gehäusegröße TO-220
	Serie HEXFET
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 17.5mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 63nC
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Maximale Verlustleistung Pd 94W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Länge 10.67mm
	Breite 4.4 mm
	Höhe 8.77mm
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 49A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 94W maximale Verlustleistung - IRFZ44NPBF

Dieser MOSFET ist für Anwendungen in den Bereichen Automatisierung, Elektronik und Elektrotechnik konzipiert. Es kann hohe Stromstärken bei geringem Widerstand bewältigen und erhöht so die Effizienz elektronischer Schaltungen. Dank der HEXFET-Technologie bietet der Baustein eine verbesserte Zuverlässigkeit und Leistungsfähigkeit in verschiedenen Umgebungen.

Eigenschaften und Vorteile

• Nutzt den Erweiterungsmodus für eine reaktionsschnelle Steuerung

• Niedriger Widerstand von 17,5mΩ für effektives Energiemanagement

• Schnelle Schaltgeschwindigkeiten für verbesserte Systemleistung

Anwendungsbereich

• Geeignet für DC-DC-Wandler

• Motorantriebe und Steuerungssysteme

• Systeme für erneuerbare Energien, wie z. B. Solar-Wechselrichter

Welchen Einfluss hat der geringe Widerstand auf die Leistung?

Der niedrige Einschaltwiderstand von 17,5 Ω erhöht die Effizienz, indem er die Energieverluste während des Betriebs minimiert, was bei Hochstromschaltungen von Vorteil ist.

Wie wirkt sich die Temperatur auf den kontinuierlichen Drainstrom aus?

Der kontinuierliche Ableitstrom beträgt 49 A bei 25 °C und sinkt auf 35 A bei 100 °C, was eine sichere Verwendung in unterschiedlichen Umgebungen gewährleistet.

Kann diese Komponente wiederkehrende Lawinenbedingungen bewältigen?

Ja, es ist so konstruiert, dass es wiederholten Lawinenbedingungen standhält, mit einem Lawinenstrom von bis zu 25 A und einer Lawinenenergie von 9,4 mJ, was eine zusätzliche Haltbarkeit gewährleistet.

Für welche Art von Anwendungen eignet sich dieser MOSFET am besten?

Dieses Bauteil eignet sich besonders für Hochleistungsanwendungen, einschließlich industrieller Automatisierungssteuerungen und Automobilsystemen, die eine effiziente Energieumwandlung erfordern.

Ist sie mit Standard-PCB-Designs kompatibel?

Ja, sein TO-220AB-Gehäuse ist in verschiedenen PCB-Layouts weit verbreitet und ermöglicht eine unkomplizierte Integration in bestehende Designs.