Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 49 A 94 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 919-4769
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFZ44NPBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (50 Stück, in einer Stange mit 50)*
CHF 33.35
Auf Lager
- 1'900 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Zusätzlich 2'000 Einheit(en) mit Versand ab 11. Februar 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF 0.667 | CHF 33.23 |
| 100 - 200 | CHF 0.545 | CHF 27.22 |
| 250 - 450 | CHF 0.505 | CHF 25.25 |
| 500 - 1200 | CHF 0.475 | CHF 23.58 |
| 1250 + | CHF 0.434 | CHF 21.92 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 919-4769
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFZ44NPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 49A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 17.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 94W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 63nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 8.77mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.4mm | |
| Länge | 10.67mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 49A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 17.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 94W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 63nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 8.77mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.4mm | ||
Länge 10.67mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 49A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 94W maximale Verlustleistung - IRFZ44NPBF
Dieser MOSFET ist für Anwendungen in den Bereichen Automatisierung, Elektronik und Elektrotechnik konzipiert. Es kann hohe Stromstärken bei geringem Widerstand bewältigen und erhöht so die Effizienz elektronischer Schaltungen. Dank der HEXFET-Technologie bietet der Baustein eine verbesserte Zuverlässigkeit und Leistungsfähigkeit in verschiedenen Umgebungen.
Eigenschaften und Vorteile
• Nutzt den Erweiterungsmodus für eine reaktionsschnelle Steuerung
• Niedriger Widerstand von 17,5mΩ für effektives Energiemanagement
• Schnelle Schaltgeschwindigkeiten für verbesserte Systemleistung
Anwendungsbereich
• Geeignet für DC-DC-Wandler
• Motorantriebe und Steuerungssysteme
• Systeme für erneuerbare Energien, wie z. B. Solar-Wechselrichter
Welchen Einfluss hat der geringe Widerstand auf die Leistung?
Der niedrige Einschaltwiderstand von 17,5 Ω erhöht die Effizienz, indem er die Energieverluste während des Betriebs minimiert, was bei Hochstromschaltungen von Vorteil ist.
Wie wirkt sich die Temperatur auf den kontinuierlichen Drainstrom aus?
Der kontinuierliche Ableitstrom beträgt 49 A bei 25 °C und sinkt auf 35 A bei 100 °C, was eine sichere Verwendung in unterschiedlichen Umgebungen gewährleistet.
Kann diese Komponente wiederkehrende Lawinenbedingungen bewältigen?
Ja, es ist so konstruiert, dass es wiederholten Lawinenbedingungen standhält, mit einem Lawinenstrom von bis zu 25 A und einer Lawinenenergie von 9,4 mJ, was eine zusätzliche Haltbarkeit gewährleistet.
Für welche Art von Anwendungen eignet sich dieser MOSFET am besten?
Dieses Bauteil eignet sich besonders für Hochleistungsanwendungen, einschließlich industrieller Automatisierungssteuerungen und Automobilsystemen, die eine effiziente Energieumwandlung erfordern.
Ist sie mit Standard-PCB-Designs kompatibel?
Ja, sein TO-220AB-Gehäuse ist in verschiedenen PCB-Layouts weit verbreitet und ermöglicht eine unkomplizierte Integration in bestehende Designs.
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 49 A 94 W, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 94 A 140 W, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 64 A, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 31 A, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 55 V / 49 A TO-262
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 64 A 130 W, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 30 A 68 W, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 47 A 110 W, 3-Pin TO-220