Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 94 A 140 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 165-8196
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF1010ZSTRLPBF
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 165-8196
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF1010ZSTRLPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 94A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 63nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Durchlassspannung Vf | -1.3V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 140W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.67mm | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Breite | 11.3mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 94A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 63nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Durchlassspannung Vf -1.3V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 140W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.67mm | ||
Höhe 4.83mm | ||
Breite 11.3mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 94A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 140W maximale Verlustleistung - IRF1010ZSTRLPBF
Dieser oberflächenmontierbare MOSFET bietet außergewöhnliche Leistung in verschiedenen Anwendungen. Er wurde von Infineon entwickelt und nutzt fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen On-Widerstand und eine hohe Strombelastbarkeit zu erreichen. Seine Leistungsfähigkeit in Hochtemperaturumgebungen macht es zu einem wichtigen Bauteil für Fachleute in den Bereichen Automatisierung, Elektronik, Elektrik und Mechanik.
Eigenschaften und Vorteile
• Hoher kontinuierlicher Drainstrom von 94 A unterstützt Anwendungen mit hoher Last
• Niedriger RDS(on) von 7,5mΩ minimiert Leistungsverluste und verbessert die Effizienz
• Maximale Drain-Source-Spannung von 55 V ermöglicht Flexibilität beim Design
• Hohe Zuverlässigkeit mit einer maximalen Betriebstemperatur von 175°C
• Schnelle Schaltfunktionen reduzieren Verzögerungen bei der Schaltungsreaktion
• Die N-Kanal-Konfiguration eignet sich für fortschrittliche elektronische Designs
Anwendungsbereich
• Einsatz in Energiemanagement- und Umwandlungssystemen
• Eingesetzt in Motorsteuerungsschaltungen für die Automatisierungstechnik
• Geeignet für Stromversorgungskonzepte mit hohem Wirkungsgrad
• Integral in der Leistungselektronik von Elektrofahrzeugen
• Einsatz in Systemen für erneuerbare Energien zur effektiven Energieumwandlung
Welche Auswirkungen hat der niedrige Einschaltwiderstand?
Der niedrige Einschaltwiderstand von 7,5mΩ sorgt für eine minimale Wärmeentwicklung während des Betriebs, was zu einer höheren Effizienz und einem geringeren Kühlungsbedarf führt.
Wie verhält sich dieser MOSFET in Hochtemperaturumgebungen?
Er unterstützt maximale Betriebstemperaturen von bis zu 175 °C und eignet sich somit für raue Bedingungen, ohne dass die Leistung beeinträchtigt wird.
Welche Art der Befestigung ist für dieses Bauteil erforderlich?
Dieser Baustein ist für oberflächenmontierte Anwendungen konzipiert und ermöglicht ein kompaktes Layout und effizientes Wärmemanagement auf Leiterplatten.
Kann es gepulste Ströme effektiv verarbeiten?
Ja, er verfügt über einen gepulsten Ableitstrom von 360 A, wodurch er transiente Bedingungen effizient bewältigen kann.
Welche Eigenschaften sollte ich für die Kompatibilität der Schaltkreise berücksichtigen?
Stellen Sie sicher, dass die Gate-Schwellenspannung im Bereich von 2V bis 4V liegt, um ein korrektes Schaltverhalten in Ihrem Schaltungsentwurf zu gewährleisten.
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