Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 29 A, 3-Pin IRFZ34NSTRLPBF TO-263

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RS Best.-Nr.:
262-6784
Herst. Teile-Nr.:
IRFZ34NSTRLPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

29A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.075Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.3V

Normen/Zulassungen

No

Distrelec Product Id

304-41-681

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET von Infineon nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieses Design verfügt über Merkmale wie eine Betriebstemperatur von 175 °C und eine schnelle Schaltgeschwindigkeit.

Vollständig lawinenbeständig

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