Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 94 A 140 W, 3-Pin IRF1010ZSTRLPBF TO-263

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

CHF.16.70

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 2’910 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 40CHF.1.67CHF.16.74
50 - 90CHF.1.596CHF.15.91
100 - 240CHF.1.523CHF.15.24
250 - 490CHF.1.46CHF.14.56
500 +CHF.0.924CHF.9.21

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
915-4923
Herst. Teile-Nr.:
IRF1010ZSTRLPBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

94A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

-1.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

63nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

140W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

11.3 mm

Höhe

4.83mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.67mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 94A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 140W maximale Verlustleistung - IRF1010ZSTRLPBF


Dieser oberflächenmontierbare MOSFET bietet außergewöhnliche Leistung in verschiedenen Anwendungen. Er wurde von Infineon entwickelt und nutzt fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen On-Widerstand und eine hohe Strombelastbarkeit zu erreichen. Seine Leistungsfähigkeit in Hochtemperaturumgebungen macht es zu einem wichtigen Bauteil für Fachleute in den Bereichen Automatisierung, Elektronik, Elektrik und Mechanik.

Eigenschaften und Vorteile


• Hoher kontinuierlicher Drainstrom von 94 A unterstützt Anwendungen mit hoher Last

• Niedriger RDS(on) von 7,5mΩ minimiert Leistungsverluste und verbessert die Effizienz

• Maximale Drain-Source-Spannung von 55 V ermöglicht Flexibilität beim Design

• Hohe Zuverlässigkeit mit einer maximalen Betriebstemperatur von 175°C

• Schnelle Schaltfunktionen reduzieren Verzögerungen bei der Schaltungsreaktion

• Die N-Kanal-Konfiguration eignet sich für fortschrittliche elektronische Designs

Anwendungsbereich


• Einsatz in Energiemanagement- und Umwandlungssystemen

• Eingesetzt in Motorsteuerungsschaltungen für die Automatisierungstechnik

• Geeignet für Stromversorgungskonzepte mit hohem Wirkungsgrad

• Integral in der Leistungselektronik von Elektrofahrzeugen

• Einsatz in Systemen für erneuerbare Energien zur effektiven Energieumwandlung

Welche Auswirkungen hat der niedrige Einschaltwiderstand?


Der niedrige Einschaltwiderstand von 7,5mΩ sorgt für eine minimale Wärmeentwicklung während des Betriebs, was zu einer höheren Effizienz und einem geringeren Kühlungsbedarf führt.

Wie verhält sich dieser MOSFET in Hochtemperaturumgebungen?


Er unterstützt maximale Betriebstemperaturen von bis zu 175 °C und eignet sich somit für raue Bedingungen, ohne dass die Leistung beeinträchtigt wird.

Welche Art der Befestigung ist für dieses Bauteil erforderlich?


Dieser Baustein ist für oberflächenmontierte Anwendungen konzipiert und ermöglicht ein kompaktes Layout und effizientes Wärmemanagement auf Leiterplatten.

Kann es gepulste Ströme effektiv verarbeiten?


Ja, er verfügt über einen gepulsten Ableitstrom von 360 A, wodurch er transiente Bedingungen effizient bewältigen kann.

Welche Eigenschaften sollte ich für die Kompatibilität der Schaltkreise berücksichtigen?


Stellen Sie sicher, dass die Gate-Schwellenspannung im Bereich von 2V bis 4V liegt, um ein korrektes Schaltverhalten in Ihrem Schaltungsentwurf zu gewährleisten.

Verwandte Links