Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 23 A 140 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 919-4886
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF9540NPBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
CHF 45.45
Auf Lager
- 500 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Zusätzlich 400 Einheit(en) mit Versand ab 13. Oktober 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF 0.909 | CHF 45.25 |
| 100 - 200 | CHF 0.667 | CHF 33.48 |
| 250 - 450 | CHF 0.636 | CHF 31.71 |
| 500 - 950 | CHF 0.586 | CHF 29.44 |
| 1000 + | CHF 0.545 | CHF 27.17 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 919-4886
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF9540NPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 23A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 117mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 140W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 97nC | |
| Durchlassspannung Vf | -1.6V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.54mm | |
| Breite | 4.69mm | |
| Höhe | 8.77mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 23A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 117mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 140W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 97nC | ||
Durchlassspannung Vf -1.6V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.54mm | ||
Breite 4.69mm | ||
Höhe 8.77mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 23A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 140W maximale Verlustleistung - IRF9540NPBF
Dieser P-Kanal-MOSFET ist für Hochleistungsanwendungen im Elektronik- und Automatisierungsbereich vorgesehen. Er unterstützt einen maximalen kontinuierlichen Drain-Strom von 23 A und eine Drain-Source-Spannung von 100 V, was die Effizienz der Schaltung erhöht. Die Konfiguration im Anreicherungsmodus ermöglicht eine genaue Steuerung des Ausgangs und eignet sich daher für verschiedene Branchen, einschließlich elektrischer und mechanischer Anwendungen.
Eigenschaften und Vorteile
• Robuste Leistung mit bis zu 23 A Dauerabflussstrom
• Maximale Drain-Source-Spannung von 100 V für konstanten Betrieb
• Niedriger maximaler Drain-Source-Widerstand von 117 mΩ optimiert die Energieeffizienz
• Verlustleistung von bis zu 140 W für intensive Anwendungen
• Typische Gate-Ladung von 97 nC bei 10 V unterstützt schnelles Schalten
Anwendungsbereich
• Einsatz in Leistungsmanagement-Schaltungen zur effizienten Energieumwandlung
• Einsatz in Motorsteuerungssystemen zur genauen Drehzahlregelung
• Integriert in Stromversorgungsschaltungen zur Verbesserung der Betriebssicherheit
• Einsatz in verschiedenen Automatisierungssystemen für effektive Kontrollfunktionen
Wie groß ist der Temperaturbereich für eine optimale Leistung?
Der Betriebstemperaturbereich reicht von -55°C bis +175°C und ermöglicht den effektiven Einsatz unter verschiedenen Umgebungsbedingungen.
Wie wirkt sich die Gate-Schwellenspannung auf den Betrieb aus?
Die Gate-Schwellenspannung variiert zwischen 2V und 4V und gewährleistet eine zuverlässige Aktivierung und einen reibungslosen Betrieb als Reaktion auf Steuersignale.
Welche Art der Befestigung ist für den Einbau erforderlich?
Dieser MOSFET ist für die Durchsteckmontage ausgelegt, was die Integration in verschiedene elektronische Baugruppen erleichtert.
Kann dieser MOSFET in Hochfrequenzanwendungen eingesetzt werden?
Ja, er ist aufgrund seiner geringen Gate-Ladung und seiner schnellen Schaltfähigkeit für Hochfrequenz-Schaltanwendungen geeignet.
Welche Bedeutung hat der niedrige Drain-Source-Widerstand?
Der niedrige Drain-Source-Widerstand von 117 mΩ verbessert die Gesamteffizienz durch Minimierung der Energieverluste im Betrieb.
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 23 A 140 W, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 23 A 140 W, 3-Pin TO-247
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 75 V / 140 A, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 36 A 140 W, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 30 V / 150 A 140 W, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 84 A 140 W, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 75 V / 80 A 140 W, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET, Oberfläche MOSFET 30 V / 150 A 140 W TO-220