Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 23 A 140 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 919-4886
Herst. Teile-Nr.:: IRF9540NPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 23 A 140 W, 3-Pin TO-220

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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100 - 200	CHF.0.777	CHF.38.85
250 - 450	CHF.0.735	CHF.36.75
500 - 950	CHF.0.683	CHF.34.13
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RS Best.-Nr.:: 919-4886
Herst. Teile-Nr.:: IRF9540NPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	23A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Serie	HEXFET
	Gehäusegröße	TO-220
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	117mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	97nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Verlustleistung Pd	140W
	Durchlassspannung Vf	-1.6V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	8.77mm
	Breite	4.69 mm
	Länge	10.54mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 23A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Serie HEXFET
	Gehäusegröße TO-220
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 117mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 97nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Verlustleistung Pd 140W
	Durchlassspannung Vf -1.6V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 8.77mm
	Breite 4.69 mm
	Länge 10.54mm
	Automobilstandard Nein

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 23A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 140W maximale Verlustleistung - IRF9540NPBF

Dieser P-Kanal-MOSFET ist für Hochleistungsanwendungen im Elektronik- und Automatisierungsbereich vorgesehen. Er unterstützt einen maximalen kontinuierlichen Drain-Strom von 23 A und eine Drain-Source-Spannung von 100 V, was die Effizienz der Schaltung erhöht. Die Konfiguration im Anreicherungsmodus ermöglicht eine genaue Steuerung des Ausgangs und eignet sich daher für verschiedene Branchen, einschließlich elektrischer und mechanischer Anwendungen.

Eigenschaften und Vorteile

• Robuste Leistung mit bis zu 23 A Dauerabflussstrom

• Maximale Drain-Source-Spannung von 100 V für konstanten Betrieb

• Niedriger maximaler Drain-Source-Widerstand von 117 mΩ optimiert die Energieeffizienz

• Verlustleistung von bis zu 140 W für intensive Anwendungen

• Typische Gate-Ladung von 97 nC bei 10 V unterstützt schnelles Schalten

Anwendungsbereich

• Einsatz in Leistungsmanagement-Schaltungen zur effizienten Energieumwandlung

• Einsatz in Motorsteuerungssystemen zur genauen Drehzahlregelung

• Integriert in Stromversorgungsschaltungen zur Verbesserung der Betriebssicherheit

• Einsatz in verschiedenen Automatisierungssystemen für effektive Kontrollfunktionen

Wie groß ist der Temperaturbereich für eine optimale Leistung?

Der Betriebstemperaturbereich reicht von -55°C bis +175°C und ermöglicht den effektiven Einsatz unter verschiedenen Umgebungsbedingungen.

Wie wirkt sich die Gate-Schwellenspannung auf den Betrieb aus?

Die Gate-Schwellenspannung variiert zwischen 2V und 4V und gewährleistet eine zuverlässige Aktivierung und einen reibungslosen Betrieb als Reaktion auf Steuersignale.

Welche Art der Befestigung ist für den Einbau erforderlich?

Dieser MOSFET ist für die Durchsteckmontage ausgelegt, was die Integration in verschiedene elektronische Baugruppen erleichtert.

Kann dieser MOSFET in Hochfrequenzanwendungen eingesetzt werden?

Ja, er ist aufgrund seiner geringen Gate-Ladung und seiner schnellen Schaltfähigkeit für Hochfrequenz-Schaltanwendungen geeignet.

Welche Bedeutung hat der niedrige Drain-Source-Widerstand?

Der niedrige Drain-Source-Widerstand von 117 mΩ verbessert die Gesamteffizienz durch Minimierung der Energieverluste im Betrieb.