Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 23 A 140 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 919-5028
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFP9140NPBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stange mit 25 Stück)*
CHF.45.70
Wird eingestellt
- 250 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Zusätzlich 825 Einheit(en) mit Versand ab 01. September 2026
- Die letzten 150 Einheit(en) mit Versand ab 12. Oktober 2026
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | CHF 1.828 | CHF 45.67 |
| 50 - 100 | CHF 1.737 | CHF 43.41 |
| 125 - 225 | CHF 1.667 | CHF 41.56 |
| 250 - 600 | CHF 1.586 | CHF 39.74 |
| 625 + | CHF 1.485 | CHF 37.02 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 919-5028
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFP9140NPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 23A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 117mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 140W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | -1.3V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 97nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 5.3mm | |
| Höhe | 20.3mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 15.9mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 23A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 117mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 140W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf -1.3V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 97nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 5.3mm | ||
Höhe 20.3mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 15.9mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MX
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 23A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 140W maximale Verlustleistung - IRFP9140NPBF
Dieser Hochleistungs-MOSFET ist für eine effiziente Schaltleistung in verschiedenen Anwendungen ausgelegt. Er eignet sich ideal für die Leistungselektronik, da er einen hohen Dauerableitstrom mit einem geringen Widerstand kombiniert und so eine zuverlässige und präzise Steuerung in Automatisierungs- und elektrischen Systemen in verschiedenen Betriebsumgebungen ermöglicht.
Eigenschaften und Vorteile
• P-Kanal-Konfiguration ermöglicht flexible Schaltungsdesigns
• Maximaler kontinuierlicher Ableitstrom von 23 A
• 100 V Drain-Source-Spannung erhöhen die Sicherheit
• Niedriger RDS(on) von 117mΩ reduziert den Leistungsverlust
• Geeignet für Anwendungen im Anreicherungsmodus, die eine stabile Leistung gewährleisten
Anwendungsbereich
• Verwendet bei der Motorsteuerung für mehr Effizienz
• Ideal für Energiemanagementsysteme, die hohe Zuverlässigkeit erfordern
• Gemeinsam in Stromversorgungsschaltungen für robusten Betrieb
• Einsatz in Schaltreglern zur effektiven Leistungsumwandlung
• Geeignet für industrielle Automatisierungssysteme, die zuverlässiges Schalten erfordern
Wie hoch ist die maximale Gate-Schwellenspannung für das Gerät?
Er hat eine maximale Gate-Schwellenspannung von 4 V und eignet sich für verschiedene Schaltungsdesigns.
Wie wirkt sich der RDS(on)-Wert auf die Leistung aus?
Der niedrige RDS(on)-Wert von 117mΩ minimiert die Energieverluste und verbessert die Effizienz und das Wärmemanagement in Anwendungen.
Für welche Arten von Schaltungen ist dieser MOSFET geeignet?
Es eignet sich sowohl für lineare als auch für schaltende Schaltungen und ist somit vielseitig für verschiedene elektronische Anwendungen einsetzbar.
Wie hoch ist die für den Betrieb erforderliche typische Gate-Ladung?
Für eine optimale Leistung benötigt der MOSFET eine typische Gate-Ladung von 97nC bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V.
Welche Auswirkungen hat die maximale Betriebstemperatur?
Mit einer maximalen Betriebstemperatur von +175°C ist dieses Gerät für Hochtemperaturumgebungen geeignet, was seine Zuverlässigkeit unter schwierigen Bedingungen verbessert.
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 23 A 140 W, 3-Pin TO-247
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 23 A 140 W, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 33 A 140 W, 3-Pin TO-247
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 4.3 A 1.3 W, 3-Pin SOT-23
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 3.6 A 1.3 W, 3-Pin SOT-23
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 760 mA 540 mW, 3-Pin SOT-23
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 2.3 A 1.25 W, 3-Pin SOT-23
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 3 A 1.25 W, 3-Pin SOT-23
