Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 33 A 140 W, 3-Pin TO-247

RS Best.-Nr.:: 919-4902
Herst. Teile-Nr.:: IRFP140NPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 33 A 140 W, 3-Pin TO-247

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 25 Stück)*

CHF.44.10

Auf Lager

725 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Stange*
25 - 25	CHF.1.764	CHF.44.00
50 - 100	CHF.1.449	CHF.36.10
125 - 225	CHF.1.355	CHF.33.89
250 - 600	CHF.1.271	CHF.31.69
625 +	CHF.1.166	CHF.29.03

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 919-4902
Herst. Teile-Nr.:: IRFP140NPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	33A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Serie	HEXFET
	Gehäusegröße	TO-247
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	52mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	94nC
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Maximale Verlustleistung Pd	140W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Länge	15.9mm
	Höhe	20.3mm
	Breite	5.3 mm
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 33A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Serie HEXFET
	Gehäusegröße TO-247
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 52mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 94nC
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Maximale Verlustleistung Pd 140W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Länge 15.9mm
	Höhe 20.3mm
	Breite 5.3 mm
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Ursprungsland:: MX

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 33A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 140W maximale Verlustleistung - IRFP140NPBF

Dieser MOSFET spielt eine entscheidende Rolle bei der Verbesserung von Effizienz und Leistung in verschiedenen elektronischen Anwendungen. Er ist für hohe Ströme und Spannungen ausgelegt und bietet zuverlässige Lösungen für das Energiemanagement in Automatisierungssystemen, in der Elektronik und im Maschinenbau. Seine Fähigkeit, unter extremen Bedingungen zu funktionieren, sorgt für Vielseitigkeit in zahlreichen Anwendungen.

Eigenschaften und Vorteile

• Maximaler kontinuierlicher Drainstrom von 33 A für verbesserte Belastungsmöglichkeiten

• Drain-Source-Spannung von bis zu 100 V für effektive Leistung

• Niedriger maximaler Drain-Source-Widerstand von 52 mΩ für effizienten Betrieb

• Konzipiert für eine Verlustleistung von 140 W zur Bewältigung der thermischen Bedingungen

• Typische Gate-Ladung von 94 nC bei 10 V für schnelle Schaltgeschwindigkeiten

Anwendungsbereich

• Zuverlässiger Einsatz in Schaltnetzteilen

• Motorsteuerung für genaues Arbeiten

• Hoher Strom in Energieumwandlungssystemen

• Integration in Leistungsverstärker für verbesserte Signalverstärkung

Wie hoch ist die maximale Spannung, die dieses Bauteil verarbeiten kann?

Er hält einer maximalen Drain-Source-Spannung von 100 V stand und ist damit für Hochspannungsanwendungen geeignet.

Wie wirkt sich die Gate-Ladung auf den Betrieb aus?

Eine typische Gate-Ladung von 94 nC bei 10 V ermöglicht ein schnelleres Schalten und verbessert die Effizienz der Schaltung.

Was sind die thermischen Eigenschaften dieses Bauteils?

Er arbeitet effektiv zwischen -55°C und +175°C und gewährleistet Zuverlässigkeit in unterschiedlichen Umgebungen.

Kann diese Komponente in Automatisierungsprojekten verwendet werden?

Ja, seine hohe Dauerstromkapazität und seine Spannungswerte sind ideal für verschiedene Automatisierungsanwendungen.

Wie verbessert der niedrige RDS(on) seine Leistung?

Der niedrige maximale Drain-Source-Widerstand trägt zur Verringerung der Leitungsverluste bei, was zu einem energieeffizienteren Betrieb führt.