Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 23 A 140 W, 3-Pin TO-247

RS Best.-Nr.:: 542-9816
Distrelec-Artikelnummer:: 302-84-056
Herst. Teile-Nr.:: IRFP9140NPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 23 A 140 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:: 542-9816
Distrelec-Artikelnummer:: 302-84-056
Herst. Teile-Nr.:: IRFP9140NPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	23A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Serie	HEXFET
	Gehäusegröße	TO-247
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	117mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	140W
	Durchlassspannung Vf	-1.3V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	97nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Länge	15.9mm
	Höhe	20.3mm
	Breite	5.3 mm
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 23A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Serie HEXFET
	Gehäusegröße TO-247
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 117mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 140W
	Durchlassspannung Vf -1.3V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 97nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Länge 15.9mm
	Höhe 20.3mm
	Breite 5.3 mm
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 23A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 140W maximale Verlustleistung - IRFP9140NPBF

Dieser Hochleistungs-MOSFET ist für eine effiziente Schaltleistung in verschiedenen Anwendungen ausgelegt. Er eignet sich ideal für die Leistungselektronik, da er einen hohen Dauerableitstrom mit einem geringen Widerstand kombiniert und so eine zuverlässige und präzise Steuerung in Automatisierungs- und elektrischen Systemen in verschiedenen Betriebsumgebungen ermöglicht.

Eigenschaften und Vorteile

• P-Kanal-Konfiguration ermöglicht flexible Schaltungsdesigns

• Maximaler kontinuierlicher Ableitstrom von 23 A

• 100 V Drain-Source-Spannung erhöhen die Sicherheit

• Niedriger RDS(on) von 117mΩ reduziert den Leistungsverlust

• Geeignet für Anwendungen im Anreicherungsmodus, die eine stabile Leistung gewährleisten

Anwendungsbereich

• Verwendet bei der Motorsteuerung für mehr Effizienz

• Ideal für Energiemanagementsysteme, die hohe Zuverlässigkeit erfordern

• Gemeinsam in Stromversorgungsschaltungen für robusten Betrieb

• Einsatz in Schaltreglern zur effektiven Leistungsumwandlung

• Geeignet für industrielle Automatisierungssysteme, die zuverlässiges Schalten erfordern

Wie hoch ist die maximale Gate-Schwellenspannung für das Gerät?

Er hat eine maximale Gate-Schwellenspannung von 4 V und eignet sich für verschiedene Schaltungsdesigns.

Wie wirkt sich der RDS(on)-Wert auf die Leistung aus?

Der niedrige RDS(on)-Wert von 117mΩ minimiert die Energieverluste und verbessert die Effizienz und das Wärmemanagement in Anwendungen.

Für welche Arten von Schaltungen ist dieser MOSFET geeignet?

Es eignet sich sowohl für lineare als auch für schaltende Schaltungen und ist somit vielseitig für verschiedene elektronische Anwendungen einsetzbar.

Wie hoch ist die für den Betrieb erforderliche typische Gate-Ladung?

Für eine optimale Leistung benötigt der MOSFET eine typische Gate-Ladung von 97nC bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V.

Welche Auswirkungen hat die maximale Betriebstemperatur?

Mit einer maximalen Betriebstemperatur von +175°C ist dieses Gerät für Hochtemperaturumgebungen geeignet, was seine Zuverlässigkeit unter schwierigen Bedingungen verbessert.