IXYS Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 50 A 360 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 920-0717
- Herst. Teile-Nr.:
- IXTP50N20P
- Marke:
- IXYS
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|---|
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- IXTP50N20P
- Marke:
- IXYS
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | IXYS | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 50A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 60mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 70nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 360W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 4.83 mm | |
| Höhe | 9.15mm | |
| Länge | 10.66mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke IXYS | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 50A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 60mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 70nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 360W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 4.83 mm | ||
Höhe 9.15mm | ||
Länge 10.66mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- US
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™
N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS
MOSFET-Transistoren, IXYS
Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS
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