STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 45 A 417 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 920-6692
- Herst. Teile-Nr.:
- STW45NM50
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*
CHF.209.16
Auf Lager
- 60 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 + | CHF.6.972 | CHF.209.03 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 920-6692
- Herst. Teile-Nr.:
- STW45NM50
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 45A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Serie | MDmesh | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 100mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 87nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Betriebstemperatur min. | -65°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 417W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 15.75mm | |
| Höhe | 20.15mm | |
| Breite | 5.15 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 45A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Serie MDmesh | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 100mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 87nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Betriebstemperatur min. -65°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 417W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 15.75mm | ||
Höhe 20.15mm | ||
Breite 5.15 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal MDmesh™, 500 V, STMicroelectronics
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Verwandte Links
- STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 45 A 417 W, 3-Pin STW45NM50 TO-247
- STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 45 A 417 W, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 45 A 417 W, 3-Pin STW45NM60 TO-247
- STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 21 A 150 W, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 14 A 110 W, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 14 A 110 W, 3-Pin STW19NM50N TO-247
- STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 21 A 150 W, 3-Pin STW28NM50N TO-247
- STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 20 A, 3-Pin TO-247