onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 200 A 110 W, 5-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 920-9903
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFS5C430NLT1G
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.7.405
Auf Lager
- 3’110 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.1.481 | CHF.7.39 |
| 50 - 95 | CHF.1.271 | CHF.6.37 |
| 100 - 495 | CHF.1.103 | CHF.5.53 |
| 500 - 995 | CHF.0.977 | CHF.4.86 |
| 1000 + | CHF.0.882 | CHF.4.42 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 920-9903
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFS5C430NLT1G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 200A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 0.81V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 70nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 110W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Länge | 5.1mm | |
| Breite | 6.1 mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, Pb-Free | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 200A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 0.81V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 70nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 110W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 1.1mm | ||
Länge 5.1mm | ||
Breite 6.1 mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS, Pb-Free | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 40 V, ON Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor
Verwandte Links
- onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 200 A 110 W, 5-Pin DFN
- onsemi NVM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 110 A 116 W, 8-Pin DFN
- onsemi NTMFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 150 A 110 W, 5-Pin DFN
- onsemi NVM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 110 A 116 W, 8-Pin NVMFS6H824NLT1G DFN
- onsemi NTMFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 150 A 110 W, 5-Pin NTMFS5C628NLT1G DFN
- onsemi NVMFS5C404NL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 370 A 200 W, 5-Pin DFN
- onsemi NTMFS5C404N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 378 A 200 W, 5-Pin DFN
- onsemi NVMFS5C404NL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 370 A 200 W, 5-Pin NVMFS5C404NLWFAFT1G DFN