onsemi NVM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 110 A 116 W, 8-Pin DFN

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
202-5749
Herst. Teile-Nr.:
NVMFS6H824NLT1G
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

110A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

NVM

Gehäusegröße

DFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

116W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

52nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

1.1 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

6.3mm

Länge

5.3mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der on Semiconductor N-Kanal-MOSFET läuft mit 110 Ampere und 80 Volt. Er hat eine kleine Abmessung für kompakte Bauweise mit geringem RDS(on), um Leitungsverluste zu minimieren.

AEC Q101-zertifiziert

RoHS-konform

Bleifrei

Benetzbare Flankenoption

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