onsemi NVM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 110 A 116 W, 8-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 202-5749
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMFS6H824NLT1G
- Marke:
- onsemi
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|---|---|---|
| 25 + | CHF.1.554 | CHF.38.80 |
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- RS Best.-Nr.:
- 202-5749
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMFS6H824NLT1G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 110A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | NVM | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 116W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 52nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 5.3mm | |
| Höhe | 6.3mm | |
| Breite | 1.1 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 110A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie NVM | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 116W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 52nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 5.3mm | ||
Höhe 6.3mm | ||
Breite 1.1 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der on Semiconductor N-Kanal-MOSFET läuft mit 110 Ampere und 80 Volt. Er hat eine kleine Abmessung für kompakte Bauweise mit geringem RDS(on), um Leitungsverluste zu minimieren.
AEC Q101-zertifiziert
RoHS-konform
Bleifrei
Benetzbare Flankenoption
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