onsemi NVM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 110 A 116 W, 8-Pin DFN

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
202-5748
Herst. Teile-Nr.:
NVMFS6H824NLT1G
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

110A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

NVM

Gehäusegröße

DFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

116W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

52nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

5.3mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.1 mm

Höhe

6.3mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der on Semiconductor N-Kanal-MOSFET läuft mit 110 Ampere und 80 Volt. Er hat eine kleine Abmessung für kompakte Bauweise mit geringem RDS(on), um Leitungsverluste zu minimieren.

AEC Q101-zertifiziert

RoHS-konform

Bleifrei

Benetzbare Flankenoption

Verwandte Links